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功率器件SJ-MOSFET产品（pǐn）优势及（jí）应用点击查看选型表

SJ-MOSFET产品优势（shì）

晶圆工艺（yì）: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺，更少的光罩层数，生产周（zhōu）期更短（duǎn），更具成本优（yōu）势
低（dī）内阻: 特殊的超结结构（gòu）让高压超结MOS内阻在同（tóng）样（yàng）面积情况下（xià）降低到VDMOS的1/3-1/5
更高（gāo）效率: 较高的轻（qīng）载，满载效率，超（chāo）低的导通（tōng）内阻（zǔ），有效的降低导（dǎo）通、开关（guān）损（sǔn）耗
低（dī）温升: 较（jiào）低的功（gōng）耗，有效的降低（dī）电源整体的工作温度，延长电源的（de）使用寿命（mìng）
易用性: 使用过程中简单（dān）易用，驱（qū）动电流需求小，对新一代高（gāo）速开（kāi）关电源提供有（yǒu）力的支持
应用范围（wéi）广（guǎng）: 适宜于对系统效（xiào）率有更高要（yào）求的照明（míng）应用、各（gè）类电源、适配器及智能手机、平板电（diàn）脑充电（diàn）器中，以（yǐ）及大功（gōng）率充电（diàn）桩， LED电（diàn）源、通（tōng）讯、服务器（qì）电源等

SJ-MOSFET产品（pǐn）应（yīng）用