CW32L010系列产品是基于 eFlash 的（de）单芯片低功（gōng）耗（hào）微控制器（qì），集成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌（qiàn）入式（shì）存储（chǔ）器（多（duō）至 64K 字节（jiē） FLASH 和多至 4K 字（zì）节 SRAM）以及（jí）一（yī）系列全面的增强型外设和（hé） I/O 口。

内（nèi）部（bù）框图

所有型号都提供（gòng）全（quán）套的通信（xìn）接口（kǒu）（二路 UART、一（yī）路 SPI 和一（yī）路 I2C）、12 位高速 ADC、四组通用和（hé）基本定时器、一（yī）组低功（gōng）耗定时器以及一组高级控制（zhì） PWM 定时器。

CW32L010 可（kě）以在 -40℃到 85℃的（de）温度范围内工作，供电电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支（zhī）持 Sleep 和 DeepSleep两（liǎng）种低功耗工（gōng）作模式CW32L010 可以（yǐ）在 -40℃到（dào） 85℃的温（wēn）度范围内工作，供电电压宽达（dá） 1.62V ~ 5.5V。支持（chí） Sleep 和DeepSleep两种低功耗（hào）工作（zuò）模式（shì）。

确保高访问速度：可（kě）确保指令的（de）快速（sù）执行，满足（zú）实（shí）时性要求高的应用场（chǎng）景。

易（yì）于升级迭（dié）代：在同等成本下，扩大存储容量，为用户（hù）提（tí）供同级（jí）最宽裕的程序和（hé）非易失存储空间，使得产（chǎn）品在面（miàn）临功能升级（jí）或迭（dié）代时，能够（gòu）更加灵活地进行软件更新和扩展。

减少EEPROM依赖（lài）：通过提供充足的非（fēi）易失性存（cún）储，减少了对外部（bù）EEPROM的依赖，降低了系统成本和复杂性。

耐用（yòng）性更高：Flash擦写寿命（mìng）高达10,000次，符合标杆要求，确（què）保了产品的（de）长期稳定（dìng）运（yùn）行。

2、黑客（kè）级（jí）代码安全防护

在（zài）微控制（zhì）器（MCU）领域，保护（hù）用户的代码和（hé）知识产权（quán）至关重要。CW32L010系列MCU，以其创新的安全特（tè）性（xìng），为用户提供了一（yī）个坚不可摧的（de）代码保护解决方案。

尽管目前大多（duō）数MCU都支（zhī）持多种安全等级，阻止通过SWD/ISP接口读取Flash内容。但通过下（xià）载间谍程序，用挟持内核（hé）的方式对Flash指令（lìng）区做数据访问（wèn）一（yī）般都被（bèi）允许。

CW32L010系列产品可以阻（zǔ）止这个入（rù）侵，我们允许用户（hù）划定一块指令（lìng）存（cún）储区域，只能通过指令总线取指令执行，不允许（xǔ）通过数据总线访问数据。在这个（gè）区域内，即使攻击者尝试通过下载间谍程序挟持内核（hé），也无法访问这块被保护的存（cún）储区（qū）域。用（yòng）户（hù）可以将包含敏感算法和关键功能的代码（mǎ）库存储在（zài）该区（qū）域，确保（bǎo）这些核心资产（chǎn）只能被调用，无法被复制或篡改。

超低功（gōng）耗工作模式非常多，一般用户较关注（zhù）待机电流（liú）（常温/高温（wēn））、全速运行电流等几个（gè）主要指标。

CW32L010采用特别工艺制程（chéng），将待机（jī）电流控制在0.3uA，高温待机电流是竞品平均水平的1/4~1/8。

5、RTC补偿精度是0.060ppm，支持（chí）亚秒级读数

CW32L010在设计时对RTC补偿机制进行了优化，可选择（zé）32，128，256秒为（wéi）一个补偿周（zhōu）期，最（zuì）精细的（de）补（bǔ）偿精度可达到0.060ppm，支持亚（yà）秒（miǎo）级读（dú）数。

6、全面升级的（de）低功耗串（chuàn）口（kǒu），支持LIN、RS485硬件使能（néng）

低功耗（hào）串口（kǒu）接收（shōu）数据（jù）可灵活配置接口电平，可产生（shēng）关键字中断和帧（zhēn）超时中（zhōng）断，支持LIN、RS485硬（yìng）件使能、TXD和RXD互换及（jí）内部回环功能、LSB/MSB硬件转换。

7、85℃ Latch Up测试成绩优异，闩（shuān）锁门限测试成绩（jì）高（gāo）达±600mA

在MCU的设计和应（yīng）用中（zhōng），静电放电（ESD）的（de）防护能力是衡量产（chǎn）品可靠性的重（chóng）要指标（biāo）之（zhī）一。其中高温Latch Up（闩锁）测试可（kě）以说明一定问题，CW32L010在高（gāo）温（wēn）Latch Up（闩锁（suǒ））测试中表（biǎo）现出色，闩锁门（mén）限测试（shì）成（chéng）绩（jì）高达±600mA，远（yuǎn）高于行业一（yī）般水平，相比竞品一般水平为3~6倍。强大的ESD防护能（néng）够（gòu）保护MCU内部数据不受静（jìng）电放电的影响以及在各种环境下的（de）长期稳定运行。

8、16路（lù）ADC输入2M采样率，采样保（bǎo）持时间可独立配（pèi）置（zhì）

9、内部（bù）时钟源（yuán）特性（xìng）无惧挑剔

CW32L010系列产（chǎn）品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封装形式（shì），不同封装（zhuāng）的产品（pǐn）所能实现的功能有所不同，具体情况（kuàng）如下表所示：

 CW32L010 家族产品功（gōng）能列表