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功率器件SJ-MOSFET产品优势及（jí）应用点击查看选型表

SJ-MOSFET产品优势

晶圆工艺（yì）: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超（chāo）结工艺（yì），更少的光罩层数，生产周期更短，更具（jù）成（chéng）本优势
低内阻: 特（tè）殊的超（chāo）结结构让（ràng）高压超结MOS内阻在同样（yàng）面积（jī）情况下降低到（dào）VDMOS的1/3-1/5
更高（gāo）效率（lǜ）: 较高的轻（qīng）载，满载效率（lǜ），超低的导通内阻，有效的降低导通、开（kāi）关损耗
低温升: 较低的功耗，有效（xiào）的（de）降低（dī）电（diàn）源整体的工作温度（dù），延（yán）长电源的（de）使（shǐ）用寿命
易用性: 使用过程中（zhōng）简单易用，驱动电流需求小，对新一代高速开关电源（yuán）提供（gòng）有力的支持
应用范围（wéi）广: 适宜于对系统（tǒng）效率有更高要求的照明应用、各（gè）类电源（yuán）、适配器及智能手机、平板电（diàn）脑充电（diàn）器中，以及大（dà）功（gōng）率充电桩， LED电源、通讯、服务器（qì）电（diàn）源（yuán）等（děng）

SJ-MOSFET产品应用