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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

280

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

15

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,280mΩ,15A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的功（gōng）率MOSFET


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