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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

11

驱动电压（yā）(V)：

10

通（tōng）道（dào）极性：

N沟道

封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

TO-220-3/-55~125

描（miáo）述：

650V，360mΩ，11A，N沟道基（jī）于超级结技术的（de）功率MOSFET



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