开云登陆入口-开云(中国)

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

130

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

30

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,130mΩ,30A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率MOSFET


开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)