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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极电流Id(on)(A)：

24

驱（qū）动电压(V)：

10

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3/-55~125

描述（shù）：

600V,150mΩ,24A,N沟道基于（yú）超级结技（jì）术的功率MOSFET


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