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漏源（yuán）电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

7

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,600mΩ,5A,N沟道（dào）基（jī）于超级结技术的（de）功率MOSFET



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