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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最（zuì）大漏极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

5

通道极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

700V,1100mΩ,5A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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