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漏（lòu）源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电流Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟（gōu）道（dào）

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET



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