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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

40

通道极性：

N沟道（dào）

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述：

600V,99mΩ,40A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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