开云登陆入口-开云(中国)

漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

177

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技（jì）术的（de）功率MOSFET


开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)