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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

650V,74mΩ,47A,N沟道（dào）基于（yú）超（chāo）级结技术的（de）功率MOSFET



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