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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大（dà）漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

7

通道极（jí）性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-251-3L/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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