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漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

5

通道（dào）极性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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