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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

47

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

650V,70mΩ,47A,N沟道基于超级（jí）结（jié）技术的功率（lǜ）MOSFET


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