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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

20

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描述：

600V，190mΩ，20A，N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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