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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

75

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

90

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

40

通道极性：

N沟（gōu）道

封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级结技（jì）术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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