开云登陆入口-开云(中国)

漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏极电流Id(on)(A)：

5

通（tōng）道（dào）极性：

N沟道（dào）

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-251-3L(IPAK)/-55~125

描述：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET



开云登陆入口-开云(中国)

开云登陆入口-开云(中国)