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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

20

驱动电（diàn）压（yā）(V)：

10

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


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