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漏源(yuán)电(diàn)压BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 250 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 280 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 15 |
驱动电压(V): | 10 |
通道极性(xìng): | N沟(gōu)道 |
封装/温度(℃): | TO-220-3L/-55~125 |
描述(shù): | 650V,280mΩ,15A,N沟(gōu)道基于(yú)超级结技术的功率MOSFET |
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