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漏源(yuán)电(diàn)压BV DSS (V)(Min.):

650

导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.):

250

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

280

最大漏极电流Id(on)(A):

15

驱动电压(V):

10

通道极性(xìng):

N沟(gōu)道

封装/温度(℃):

TO-220-3L/-55~125

描述(shù):

650V,280mΩ,15A,N沟(gōu)道基于(yú)超级结技术的功率MOSFET


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