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漏源电(diàn)压BV DSS (V)(Min.):

650

导通电(diàn)阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.):

250

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

290

最大(dà)漏极电流Id(on)(A):

15

通道极性:

N沟(gōu)道

封(fēng)装/温度(℃):

TO-252-2L/-55~125

描述:

650V,290mΩ,15A,N沟道基(jī)于超级结技术的功率MOSFET


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