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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

115

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大（dà）漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

24

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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