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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

150

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

180

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

20

通道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,180mΩ,20A,N沟道（dào）基于（yú）超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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